W4TXE0X-0D00データシート,PDFファイル,回路図,アプリケーションノート

W4TXE0X-0D00アプリケーションは、パッケージ、ピン

アプリケーション日本語 :

アプリケーション英語 : Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition